![]() |
Руководитель отделения д.ф.-м.н.Брунков Павел Николаевич |
Оборудование отделения позволяет проводить измерения основных электрофизических характеристик полупроводниковых многослойных гомо- и гетеростроструктур:
К полупроводниковому p-n переходу (или барьеру Шоттки) прикладываются импульсы напряжения смещения, которые заполняют ловушки носителей заряда (точечных дефектов с глубокими уровнями, квантовых точек, наноразмерных кластеров и др.). Последующая эмиссия носителей заряда с этих ловушек может быть зарегистрирована с помощью измерения емкости или тока, протекающего через исследуемую структуру. Анализ температурной зависимости релаксаций емкости или тока с помощью метода двухстробного интегрирования позволяет измерить температурную зависимость темпа эмиссии носителей заряда с этих ловушек и построить график Аррениуса, из которого можно определить энергию активации и сечение захвата исследуемой ловушки носителей заряда. Из амплитуды пика DLTS спектра можно определить концентрацию ловушек.
Измерение полной проводимости, а именно емкости и проводимости структуры при разных частотах в зависимости от температуры, позволяет определять параметры ловушек носителей заряда, темп эмиссии которых при данной температуре находится в резонансе с частотой измерительной сигнала.
Широкий спектр полупроводников (в том числе легированных), гетероструктуры, твердое тело.