Отделение диагностики электрофизических параметров

Руководитель отделения д.ф.-м.н. Брунков Павел Николаевич

Оборудование отделения позволяет проводить измерения основных электрофизических характеристик полупроводниковых многослойных гомо- и гетеростроструктур:

• определение типа основных носителей заряда
• измерение распределения концентрации свободных носителей и дефектов с глубокими уровнями по толщине полупроводниковых многослойных гетеро- и гомоструктур
• определение параметров  дефектов с глубокими уровнями (тип ловушки, энергия термической активации и сечение захвата носителей заряда)
• определение разрывов энергетических зон на гетерограницах многослойных гетероструктур

Методы

Нестационарная спектроскопия глубоких уровней (НСГУ)
(Deep Level Transient Spectroscopy)

К полупроводниковому p-n переходу (или барьеру Шоттки) прикладываются импульсы напряжения смещения, которые заполняют ловушки носителей заряда (точечных дефектов с глубокими уровнями, квантовых точек, наноразмерных кластеров и др.). Последующая эмиссия носителей заряда с этих ловушек может быть зарегистрирована с помощью измерения емкости или тока, протекающего через исследуемую структуру. Анализ температурной зависимости релаксаций емкости или тока с помощью метода двухстробного интегрирования позволяет измерить температурную зависимость темпа эмиссии носителей заряда с этих ловушек и построить график Аррениуса, из которого можно определить энергию активации и сечение захвата исследуемой ловушки носителей заряда. Из амплитуды пика DLTS спектра можно определить концентрацию ловушек.

Спектроскопия полной проводимости (Admittance Spectroscopy)

Измерение полной проводимости, а именно емкости и проводимости структуры при разных частотах в зависимости от температуры, позволяет определять параметры ловушек носителей заряда, темп эмиссии которых при данной температуре находится в резонансе с частотой измерительной сигнала.

Исследуемые материалы

Широкий спектр полупроводников (в том числе легированных), гетероструктуры, твердое тело.

Приборный парк

• Емкостная НСГУ-установка (токовая НСГУ установка)