Перечень основного оборудования Федерального ЦКП «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях»

№ п/п

Наименование

Назначение и основные характеристики

Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения

1

Комплекс для локального анализа поверхности с помощью сканирующей зондовой микроскопии в условиях контролируемой инертной атмосферы

Интеграция методик атомно-силовой микроскопии (АСМ) с методиками спектроскопии комбинационного рассеяния. Установка предназначена для проведения исследований в условиях инертной атмосферы с нанометровым разрешением и предоставляет полную информацию о многочисленных поверхностных свойствах образца, таких как: рельеф, намагниченность, электрический потенциал и работа выхода, сила трения, пьезоотклик, упругость, емкость, ток растекания и многое другое.

+

2

Порошковый рентгеновский дифрактометр Bruker D2 Phaser

Порошковая рентгеновская дифрактометрия, рентгенофазовый анализ

+

3

Сферический токамак Глобус-М

Сферический токамак нового поколения, предназначенный для исследования физических процессов в плазме сферической конфигурации и отработки инженерных рекомендаций для сферических токамаков мегаамперного диапазона.

Подробная информация на сайте УНУ Глобус-М.

 

4

Комплекс для локального анализа структуры, атомного состава и связей с помощью просвечивающей электронной микроскопии на базе JEM-2100F

локальный анализ структуры, атомного состава и связей методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения и микроанализа.

+

5

Высокоразрешающий рентгеновский дифрактометр с вращающимся анодом D8 Discover

Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия

+

6

Установка для электронной литографии на базе растрового электронного микроскопа JSM-7001F

Предназначен для электронной литографии, растровой электронной микроскопии высокого разрешения. Микроструктурный анализ: текстурный анализ, построение карт ориентировки кристаллитов, дискриминация фаз и построение карт распределения кристаллических фаз, определение размера и формы зерен, определение типа границ, построение полюсных фигур.

+

7

Микроскоп стереоскопический с системой цифровой регистрации SMZ 745T

Оптическая микроскопия с цифровой регистрацией

 

8

Установка  для исследования температурной зависимости электрофизических и оптических параметров твердотельных наногетероструктур

Исследования методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней и спектроскопии полной проводимости в широком диапазоне температур

 

9

Система ионного утонения образцов Nanomill 1050

Пробоподготовка образцов для просвечивающей электронной микроскопии

 

10

Микроскоп стереоскопический с системой цифровой регистрации Eclipse L150

Оптическая микроскопия с цифровой регистрацией

 

11

Вторично-ионный микрозондовый масс-спектрометр IMS-7f

Для измерений массы вторичных ионов, возникающих при послойном травлении исследуемого объекта потоком первичных ионов. Прибор применяется для контроля дозы имплантации, измерений глубин р-n переходов, разработки технологических процессов, послойного элементного анализа в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии.

+

12

Специализированный высоковакуумный стенд STE IBS (НиТО)

Предназначен для проведения исследования низкодозной и низкоэнергетической ионной модификации приповерхностных слоев вольфрама